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MRAM基FPGA

让可重构硬件,拥有不妥协的记忆力。
概述
非易失存储与可编程逻辑深度融合
让FPGA在高可靠领域的每一次上电都稳定可靠
传统FPGA都需要从外部存储器加载配置
——等待、易失、写入寿命有限
当系统频繁重构,或运行在强干扰环境中,
这一模式的局限便显露出来
MRAM基FPGA将非易失性存储直接集成到配置核心。
配置在纳秒级时间内就绪
重构次数不再受限于擦写周期
数据在掉电后依然保持

产品特性

低功耗设计.svg
非易失性
高速读、写低功耗
兼容逻辑CMOS工艺
为基于非易失存储的FPGA提供新的技术实施途径与系统解决方案
高性能逻辑单元.svg
突破传统Flash工艺FPGA在规模和性能上的局限性
为装备提供更强的适应性和生存能力
性能增强.svg
读写速率更快
抗软错误能力更强
支撑后续先进信息处理系统对读写速度快、可靠性高、动态重构灵活和耐久性高等FPGA性能指标的升级
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破封锁辟新径
拓领域创效益
开辟全新发展路径,拓展通信设备等应用领域,创造显著经济与社会效益。
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